DRAM、SRAM、NAND Flash、NOR Flash、EEPROM、MRAM存储器，这些是计算机和电子设备中最核心的几种存储器技术。
首先，我们可以从两个最根本的特性来对它们进行初步区分：
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易失性 (Volatile)：断电后数据是否丢失。
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读写特性：是像内存一样可以按字节随机读写，还是像硬盘一样需要按“块”擦除和编程。
基于以上两点，我们可以把它们分为三大类：
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存储器类型 |
易失性？ |
读写特性 |
主要用途 |
性能（相对） |
容量（相对） |
成本（相对） |
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SRAM |
易失 |
随机读写（字节） |
CPU高速缓存 (L1, L2, L3 Cache) |
极快 |
很小 |
极高 |
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DRAM |
易失 |
随机读写（字节） |
主内存（内存条）、显卡显存 |
快 |
大 |
低 |
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NOR Flash |
非易失 |
随机读取 |
存储启动代码（BIOS/UEFI）、嵌入式系统 |
读快，写慢 |
小至中 |
高 |
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EEPROM |
非易失 |
随机读写（字节） |
存储少量配置数据（如IC序列号） |
读快，写很慢 |
极小 |
中 |
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NAND Flash |
非易失 |
顺序块存取 |
SSD硬盘、U盘、手机存储、SD卡 |
读快，写中 |
极大 |
极低 |
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MRAM |
非易失 |
随机读写（字节） |
（新兴技术）有望替代多种内存 |
快，接近SRAM |
中 |
目前较高 |
详细解释
第一类：易失性存储器 (Volatile Memory) - 用作“内存”
这类内存需要持续通电才能保持数据，速度快，用于和CPU直接交换数据。
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SRAM (Static Random-Access Memory) - 静态随机存取存储器
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特点：“静态”意味着只要通电，数据就会一直保持，不需要刷新。它使用6个晶体管来存储1个比特的数据，结构复杂。
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优点：速度极快，是目前读写最快的内存。
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缺点：结构复杂导致成本高、功耗大、容量做不大、占用芯片面积大。
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应用：对速度有极致要求的地方，主要是CPU内部的高速缓存 (L1, L2, L3 Cache)。你买CPU时看到的“16MB三级缓存”，这指的就是SRAM。
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DRAM (Dynamic Random-Access Memory) - 动态随机存取存储器
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特点：“动态”意味着即使通电，数据也会慢慢丢失，需要定时“刷新”电路来给电容充电，才能保持数据。它使用1个晶体管+1个电容来存储1个比特，结构简单。
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优点：结构简单，因此在容量和成本上具有巨大优势（比SRAM便宜得多，容量大得多）。
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缺点：速度比SRAM慢，且需要刷新电路。
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应用：主内存（即电脑里的内存条）。我们常说的DDR4、DDR5就是DRAM的一种。
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SRAM vs DRAM 简单比喻：
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SRAM就像你书桌上的一字典（高速缓存），拿取极快，但书桌面积有限，放不了太多。
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DRAM就像你身后的整个书柜（主内存），容量很大，取书比从书桌拿慢一点，但比去图书馆快得多。
第二类：非易失性存储器 (Non-Volatile Memory) - 用作“存储”
这类存储器断电后数据不会丢失，用于长期保存数据。它们通常以“块”为单位进行写入和擦除操作。
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NAND Flash
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特点：目前大容量存储的绝对主力。数据必须以“页”为单位写入，以“块”为单位擦除。不支持像内存一样直接通过地址线随机读写。
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优点：容量可以做得非常大（TB级别），成本极低。
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缺点：写入寿命有限（有擦写次数限制），读写速度不对称，写入前需先擦除。
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应用：SSD固态硬盘、U盘、手机eMMC/UFS存储、SD卡、TF卡。几乎所有需要大容量存储的地方都是它的天下。
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NOR Flash
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特点：和NAND同属Flash家族，但结构不同。它支持芯片内执行，即CPU可以直接从NOR Flash上取指令执行，无需先复制到内存中。
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优点：具有独立地址线和数据线，可以实现随机读取（尤其是读取很快）。
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缺点：容量密度低，成本高，写入速度慢。
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应用：主要用来存储启动代码（如主板BIOS、路由器固件）、操作系统的引导程序等需要直接读取执行的小容量关键代码。
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EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) - 电可擦可编程只读存储器
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特点：可以按字节进行擦除和重写，非常灵活。
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优点：读写单位小，使用方便。
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缺点：容量很小，写入速度非常慢。
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应用：存储需要频繁修改但数据量很小的配置信息，例如设备的序列号、加密密钥、用户的个性化设置等。很多微控制器内部都集成了小容量的EEPROM。
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NAND vs NOR vs EEPROM 简单比喻：
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NOR Flash像一本字典，你可以直接随机翻到任何一页（地址）查阅（读取）内容，但往里面写字（写入）很麻烦。
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NAND Flash像一个巨大的仓库，货物必须以“托盘”（块）为单位存取，存取效率高、仓库大，但你不能直接跑去拿托盘上的一件小东西，必须把整个托盘搬出来。这是为大容量仓储设计的。
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EEPROM像一个小记事本，你可以在任意一行擦掉重写几个字，非常灵活，但本子很薄，写起来也慢。
第三类：新兴存储器
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MRAM (Magnetoresistive Random-Access Memory) - 磁阻随机存取存储器
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特点：利用电子自旋的磁性来存储数据，是一种非常有潜力的通用内存技术。
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优点：非易失、读写速度极快（接近SRAM）、功耗极低、无限次擦写。它结合了SRAM的速度、DRAM的容量和Flash的非易失性。
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缺点：目前成本较高，容量密度还在发展中，是未来技术。
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应用：目前在一些工业、汽车、物联网等特殊领域开始应用。未来有望替代DRAM做非易失主内存，甚至替代SRAM做缓存，实现“内存硬盘统一”。
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总结
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要速度极致：用 SRAM（做Cache）。
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要便宜大碗的内存：用 DRAM（做内存条）。
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要便宜大碗的存储：用 NAND Flash（做SSD、U盘）。
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要存代码并直接运行：用 NOR Flash（存BIOS）。
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要存一点小配置且经常改：用 EEPROM。
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未来可能全都要：看 MRAM。
上)
