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芯片测试之Open-Short Test全解析：从原理到实战

news 来源：原创 2025/8/12 13:39:37

大家好，我是硅言。最近在开发NORD的AC、DC测试程序，准备和大家聊聊NOR Flash一套完整的AC、DC测试，要测哪些参数，如何测试等等。OS测试（Open-Short Test，开短路测试）作为芯片测试"第一道防线"——它能在数秒内快速筛查出引脚开路（Open）、短路（Short）、接触不良等致命缺陷，据统计，OS测试可降低约30%的测试成本，是芯片样测、量产前不可或缺的关键步骤。

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一、OS测试的定义与作用

OS测试（Open-Short Test），又称连续性测试或接触测试，是芯片测试中的首个关键环节。其核心目标是验证芯片引脚与测试系统的电气连接是否完整，同时检测引脚之间是否存在短路或开路缺陷。通过OS测试，可快速发现芯片制造中的物理缺陷，如引脚短路、键合线缺失、静电损伤等，还能排查测试夹具（如Probe Card、Socket）的接触问题。

作为芯片测试工程师，硅言曾与OS测试上演过一段"从懵懂到顿悟"的成长史。刚入职时，硅言像执行神秘仪式般在每个测试前机械地运行OS测试，只知道屏幕上跳动的"PASS"是开启后续测试的魔法咒语。直到亲手编写芯片的测试程序，才真正破译了这个"咒语"背后的科技密码——原来OS测试是芯片世界的量子纠缠探测器，通过引脚与保护二极管构成的微观电路，实现纳米级缺陷的宏观诊断。

二、OS测试的原理：二极管特性与电压检测

芯片的每个引脚均内置ESD保护二极管，一端接电源（VDD），另一端接地（VSS），形成天然的安全屏障。这些二极管在正常导通时，正向压降约为0.65V（硅材料），反向则截止。OS测试正是通过检测这一特性，判断引脚状态。

二极管伏安特性曲线：

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芯片引脚保护二极管的结构：

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在存储芯片的电路设计中，部分二极管并非刻意布局的独立元件，而是源于MOS管结构的寄生效应。以N沟道功率MOSFET为例，其源极（Source）与P型体区的短接结构，必然会在P型体区与N型漂移层间形成体二极管（Body Diode），这是由半导体PN结的物理特性决定的。而对于I2C总线的SCL和SDA引脚，其电路结构采用漏极开路（Open-Drain）设计，仅配置单个NMOS管接地。这种设计通过外接上拉电阻实现线与逻辑功能，同时满足多主机仲裁需求——当任意设备将总线拉低时，所有设备均能检测到低电平状态。

测试逻辑：

正向测试（Open_short_to_VDD）：将VDD接地，向引脚注入100-500μA正向电流。正常状态下，电流流经上端二极管至VDD，引脚电压约为0.7V（硅二极管压降）。若电压>0.9V判为开路（Open），<0.2V判为短路（Short）。

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反向测试（Open_short_to_VSS）：类似原理，注入-100μA电流，检测下端二极管导通电压（正常范围-0.2V至-0.9V）。若电压<-0.9V为开路，>-0.2V为短路。

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三、测试方法与技术实现

万用表手动测试

最简单的测OS方法，就是用万用表测量，适用于几颗芯片验证，效率低且易受人为因素干扰。

PMU串行加流测压

测试步骤：① 所有待测量引脚接GND，以避免引脚间短路干扰测试结果；② PMU向被测引脚注入±100μA电流；③ 测量引脚电压并与阈值比较。

硅言当前就使用该方法测试OS，测试程序Demo是抽100uA电流测试指定pin的OS（不是完整代码奥，仅示意）：

var all_pin = SemiContext.Digital("VCC,CS,DO,WP,DI,CLK,HOLD");
all_pin.SetSelectedFunction("Off");
var test_pin = SemiContext.Digital(OS_TestPin);
test_pin.SetSelectedFunction("Ppmu");
test_pin.SetIClamp(0.032).SetApertureTime(0.01).VForce(0).IForce(0);
test_pin.IForce(TestPinIForceValue, 0.000128);
for (int i = 0; i < 8; i++)
{temp[i] = test_pin.VMeasure();
}
result = Utility.CalculateAverage(4, temp);
OS_V.Evaluate(result);
test_pin.SetIClamp(0.032).SetApertureTime(0.01).VForce(0).IForce(0);
test_pin.SetSelectedFunction("Disconnect");

对于NOR Flash、EEPROM、NAND等存储产品，其引脚数量通常控制在8-48pin区间，且样测阶段关注核心功能验证而非量产效率。同时存储芯片引脚ESD保护结构统一（如仅配置VSS端二极管），测试参数设置更标准化，所以采用PMU串行测试。硅言也曾尝试全引脚同步加流测试，确实会提高速度，但会掩盖相邻引脚的隐性短路。

看到这里，相信大家和硅言一样有个疑问，面对数百引脚、异构架构的MCU/FPGA，如何快速测OS呢？

分组并行测试：将512pin按奇偶分组，交替施加±100μA电流，可缩短60%测试时间且保留短路定位能力；机器学习辅助：基于历史良率数据，智能跳过低风险引脚。

某FPGA企业采用三阶段测试法：

阶段1：全引脚并行加流，筛选明显开路/短路；
阶段2：奇数引脚加流+偶数接地，检测横向短路；
阶段3：对角矩阵扫描，定位三维封装的层间短路。

OS测试，这项看似简单的"连通性检查"，实则是芯片品质的基石。随着AI与大数据技术的渗透，OS测试正从“静态检测”迈向“动态预测”。例如，通过历史数据建模，预判引脚失效概率；或结合机器学习优化测试阈值，减少误报率。最终需要根据芯片引脚ESD保护结构，选用合适的OS测试方案，正如半导体测试界的箴言：“没有放之四海而皆准的测试方案，只有不断进化的工程智慧。”

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本文内容综合公开报道、行业分析及第三方研究，信息存在时效性局限，技术描述可能存在专业偏差，部分含推测性表述，如有疏漏请联系修正。

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一、OS测试的定义与作用

二、OS测试的原理：二极管特性与电压检测

三、测试方法与技术实现

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